RDN120N25FU6

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

160 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

31 nC

Pd - 功耗：

40 W

配置：

单身的

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

产品类别：

MOSFET

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

RDN120N25

单位重量：

0.211644 oz

Tags

RDN1, RDN