SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4966DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
描述:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
生命周期:
制造商新产品。
数据表:
SI4966DY-T1-GE3 数据表
交货:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
产品属性
属性值
制造商
威世硅
产品分类
FET - 阵列
系列
沟槽FETR
打包
卷带 (TR)
部分别名
SI4966DY-GE3
单位重量
0.006596 oz
安装方式
贴片/贴片
包装盒
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装型
表面贴装
通道数
2 Channel
供应商-设备-包
8-SO
配置
双重的
FET型
2 N-Channel (Dual)
最大功率
2W
晶体管型
2 N-Channel
漏源电压 Vdss
20V
输入电容-Ciss-Vds
-
FET-Feature
逻辑电平门
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
-
Rds-On-Max-Id-Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
栅极电荷-Qg-Vgs
50nC @ 4.5V
钯功耗
2 W
最高工作温度
+ 150 C
最低工作温度
- 55 C
秋季时间
40 ns
上升时间
40 ns
VGS-栅极-源极-电压
12 V
Id 连续漏极电流
7.1 A
Vds-漏-源-击穿电压
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
25 mOhms
晶体管极性
N通道
典型关断延迟时间
90 ns
典型开启延迟时间
40 ns
通道模式
增强
Tags
SI4966DY-T, SI4966D, SI4966, SI496, SI49, SI4
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
型号 制造商 描述 库存 价格
SI4966DY-T1-GE3
DISTI # SI4966DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4966DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4966DY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant
    0
      图片 型号 描述
      SI4966DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4966DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4966DY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-T1-GE3
      SI4966DY-T1-GE3

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      OMO.#: OMO-SI4966DY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-T1-GE3
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      OMO.#: OMO-SI4966DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
      SI4966DY

      Mfr.#: SI4966DY

      OMO.#: OMO-SI4966DY-1190

      MOSFET 20V 7.1A 2W
      SI4966DY-E3

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      MOSFET 20V 7.1A 2W
      SI4966DY-T1

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      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-E3
      SI4966DY-T1-E3

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      MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
      SI4966DYT1

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      全新原装
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