BG 3230 E6327

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

25 mA

Vds - 漏源击穿电压：

8 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363

打包：

卷轴

配置：

双重的

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

类型：

射频小信号 MOSFET

宽度：

1.25 mm

品牌：

英飞凌科技

频道模式：

消耗

Pd - 功耗：

200 mW

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

6 V

单位重量：

0.000212 oz

Tags

BG3230E, BG323, BG32, BG3