CMNDM7001 TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-953

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

900 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

566 pC

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

CMNDM

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

中央半导体

正向跨导 - 最小值：

100 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

75 ns

典型的开启延迟时间：

50 ns

第 # 部分别名：

CMNDM7001 PBFREE TR

Tags

CMNDM7, CMNDM, CMND, CMN