FF100R12RT4

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 硅模块

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

2 V

栅极-发射极漏电流：

100 nA

Pd - 功耗：

555 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

托盘

品牌：

英飞凌科技

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

10

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

FF100R12RT4HOSA1 SP000624754

单位重量：

5.643834 oz

Tags

FF100R12R, FF100R12, FF100R1, FF100R, FF100, FF10, FF1