FDMC8097AC

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Power-33-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

2 A, 6.3 A

Rds On - 漏源电阻：

155 mOhms, 1.03 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V, 3.1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V, 25 V

Qg - 门电荷：

2.8 nC, 4.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

10 W, 14 W

配置：

双重的

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

0.8 mm

长度：

3 mm

系列：

FDMC8097AC

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

750 mS, 6.4 S

秋季时间：

2.2 ns, 6.3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.3 ns, 1.6 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

7.4 ns, 9.1 ns

典型的开启延迟时间：

5.2 ns, 5.4 ns

单位重量：

0.006914 oz

Tags

FDMC80, FDMC8, FDMC, FDM