NTMD2C02R2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

5.2 A

Rds On - 漏源电阻：

43 mOhms, 100 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.5 mm

长度：

5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

4 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

3 S

秋季时间：

80 ns, 35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

50 ns, 40 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45 ns, 35 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 15 ns

单位重量：

0.006596 oz

Tags

NTMD2C02R2, NTMD2C, NTMD2, NTMD, NTM