TPH3R003PL,LQ

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOP-Advance-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

134 A

Rds On - 漏源电阻：

2.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

50 nC

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

90 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.95 mm

长度：

5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

5.9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6.3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

36 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

Tags

TPH3R0, TPH3R, TPH3, TPH