IPI111N15N3GAKSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

83 A

Rds On - 漏源电阻：

10.8 mOhms

配置：

单身的

商品名：

优化MOS

打包：

管子

高度：

9.45 mm

长度：

10.2 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

英飞凌科技

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

G IPI111N15N3 SP000680232

单位重量：

0.073511 oz

Tags

IPI111, IPI11, IPI1, IPI