SUM110N10-09-E3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

110 A

Rds On - 漏源电阻：

9.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

110 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

375 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

4.83 mm

长度：

10.67 mm

系列：

和

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.65 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

25 S

秋季时间：

130 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

125 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

55 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

单位重量：

0.050717 oz

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