DMN3035LWN-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

V-DFN3020-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

5.5 A

Rds On - 漏源电阻：

45 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

9.9 nC, 9.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.78 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.8 mm

长度：

3 mm

产品：

增强型 MOSFET

系列：

DMN3035

晶体管类型：

2 N-Channel

类型：

增强型 MOSFET

宽度：

3 mm

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

-

秋季时间：

2 ns, 2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.3 ns, 3.3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

10.6 ns, 10.6 ns

典型的开启延迟时间：

3 ns, 3 ns

Tags

DMN303, DMN30, DMN3, DMN