TPN2R805PL,L1Q

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSON-Advance-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

45 V

Id - 连续漏极电流：

139 A

Rds On - 漏源电阻：

2.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

39 nC

最低工作温度：

-

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

104 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

TPN2R805PL

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

东芝

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.4 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

34 ns

典型的开启延迟时间：

17 ns

单位重量：

0.000705 oz

Tags

TPN2R8, TPN2R, TPN2, TPN