RV2C010UNT2L

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-1006-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1 A

Rds On - 漏源电阻：

470 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

400 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

RV2C010UN

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns

第 # 部分别名：

RV2C010UN

Tags

RV2C010, RV2C01, RV2C0, RV2C, RV2