MTI85W100GC

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ISOPLUS-DIL-17

通道数：

6 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

5.4 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

88 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

配置：

十六进制

频道模式：

增强

晶体管类型：

6 N-Channel

品牌：

IXYS

秋季时间：

40 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

55 ns

出厂包装数量：

13

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

480 ns

典型的开启延迟时间：

90 ns

第 # 部分别名：

MTI85W100GC-SMD

Tags

MTI