RM4N650T2

产品属性

属性值

制造商：

矩形

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

1.2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

10 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

46 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

矩形

正向跨导 - 最小值：

4 S

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

48 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

Tags

RM4N6, RM4N, RM4