TSM60NB099PW C1G

产品属性

属性值

制造商：

台积电

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

38 A

Rds On - 漏源电阻：

86 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

62 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

329 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

晶体管类型：

N 沟道功率 MOSFET

品牌：

台积电

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

24 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

87 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

Tags

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