IXTH1N200P3HV

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

2 kV

Id - 连续漏极电流：

1 A

Rds On - 漏源电阻：

40 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

23.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

400 mS

秋季时间：

80 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

26 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

37 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

Tags

IXTH1N2, IXTH1N, IXTH1, IXTH, IXT