IRF9952PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

3.5 A

Rds On - 漏源电阻：

150 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

6.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

功率MOSFET

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌/红外

秋季时间：

3 ns, 6.9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.8 ns, 14 ns

出厂包装数量：

95

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns, 20 ns

典型的开启延迟时间：

6.2 ns, 9.7 ns

第 # 部分别名：

SP001566518

单位重量：

0.019048 oz

Tags

IRF9952, IRF995, IRF99, IRF9, IRF