SSM6N17FU(TE85L,F)

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SC-70-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

50 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

20 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

900 mV

Vgs - 栅源电压：

7 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

200 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

系列：

SSM6N17FU

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

20 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

Tags

SSM6N17FU(T, SSM6N17, SSM6N1, SSM6N, SSM6, SSM