BF 999 E6327

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

30 A

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23

打包：

卷轴

配置：

单身的

高度：

1 mm

长度：

2.9 mm

系列：

BF999

类型：

射频小信号 MOSFET

宽度：

1.3 mm

品牌：

英飞凌科技

Pd - 功耗：

200 mW

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

6.5 V

第 # 部分别名：

BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985

单位重量：

0.000282 oz

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