VP2206N2

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

T

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-39-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

750 mA

Rds On - 漏源电阻：

900 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

高度：

6.6 mm

长度：

9.4 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

场效应管

宽度：

9.4 mm

品牌：

微芯科技

秋季时间：

22 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

16 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

16 ns

典型的开启延迟时间：

4 ns

单位重量：

0.039133 oz

Tags

VP2206N, VP2206, VP220, VP22, VP2