UT6JA2TCR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HUML2020L-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

55 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

6.7 nC, 6.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

2.5 S, 2.5 S

秋季时间：

13 ns, 13 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9.1 ns, 9.1 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

26 ns, 26 ns

典型的开启延迟时间：

7.4 ns, 7.4 ns

第 # 部分别名：

UT6JA2

Tags

UT6JA, UT6J, UT6