FQP2P40-F080

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

400 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

6.5 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

- 10 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

501 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

16.3 mm

长度：

10.67 mm

系列：

FQP2P40

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

4.7 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

1.42 S

开发套件：

-

秋季时间：

60 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

75 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

55 ns

典型的开启延迟时间：

30 ns

第 # 部分别名：

FQP2P40_F080

单位重量：

0.063493 oz

Tags

FQP2P4, FQP2P, FQP2, FQP