SCT3030KLGC11

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247N-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1200 V

Id - 连续漏极电流：

72 A

Rds On - 漏源电阻：

30 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.7 V

Vgs - 栅源电压：

- 4 V, 22 V

Qg - 门电荷：

131 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

339 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

SCT3x

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

10.8 S

秋季时间：

29 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

42 ns

出厂包装数量：

450

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

61 ns

典型的开启延迟时间：

24 ns

第 # 部分别名：

SCT3030KL

单位重量：

0.211644 oz

Tags

SCT3030K, SCT303, SCT30, SCT3, SCT