SQM200N04-1m1L_GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-7

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

200 A

Rds On - 漏源电阻：

800 uOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

413 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

375 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

4.82 mm

长度：

10.41 mm

系列：

质量

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.65 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

219 S

秋季时间：

126 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

443 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

SQM200N04-1m1, SQM200N04-1, SQM200N, SQM200, SQM20, SQM2, SQM