BSS223PW H6327

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

390 mA

Rds On - 漏源电阻：

2.1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

2.5 V

Qg - 门电荷：

- 0.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

系列：

BSS223

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

0.35 S

秋季时间：

3.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

5.1 ns

典型的开启延迟时间：

3.8 ns

第 # 部分别名：

BSS223PWH6327XT BSS223PWH6327XTSA1 SP000843010

单位重量：

0.000176 oz

Tags

BSS223PWH, BSS223, BSS22, BSS2, BSS