AFT05MS031NR1

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

E

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

- 500 mV, 40 V

获得：

19 dB

输出功率：

33 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-270-2

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

136 MHz to 520 MHz

系列：

AFT05MS031N

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

正向跨导 - 最小值：

5.8 S

湿气敏感：

是的

Pd - 功耗：

294 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 12 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.1 VDC

第 # 部分别名：

935325665528

单位重量：

0.018679 oz

Tags

AFT05MS031N, AFT05MS03, AFT05MS, AFT05, AFT0, AFT