FDMT80080DC

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Power-33-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

80 V

Id - 连续漏极电流：

36 A

Rds On - 漏源电阻：

1.06 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

195 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

156 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

0.8 mm

长度：

3.3 mm

系列：

FDMT80080DC

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

3.3 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

116 S

秋季时间：

30 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

65 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

75 ns

典型的开启延迟时间：

67 ns

单位重量：

0.008766 oz

Tags

FDMT8, FDMT, FDM