NTJD4158CT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V, 20 V

Id - 连续漏极电流：

250 mA, 880 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.5 Ohms, 500 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV, 450 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V, - 2.5 V

Qg - 门电荷：

0.9 nC, 2.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

270 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTJD4158C

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

0.08 S, 3 S

秋季时间：

78 ns, 3.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

66 ns, 6.5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

56 ns, 13.5 ns

典型的开启延迟时间：

15 ns, 5.8 ns

单位重量：

0.000988 oz

Tags

NTJD4158, NTJD415, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ