TSM190N08CZ C0G

产品属性

属性值

制造商：

台积电

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

75 V

Id - 连续漏极电流：

190 A

Rds On - 漏源电阻：

3.4 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

160 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

晶体管类型：

75 V

品牌：

台积电

秋季时间：

45 ns

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

85 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

单位重量：

0.211644 oz

Tags

TSM19, TSM1, TSM