CSD86336Q3DT

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSON-CLIP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

9.1 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

3.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

系列：

CSD86336Q3D

晶体管类型：

功率MOSFET

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

40 S

秋季时间：

2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

7 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns

Tags

CSD8633, CSD86, CSD8, CSD