DMN61D9UWQ-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

340 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

5 V

Qg - 门电荷：

400 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

440 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

200 mS

秋季时间：

8.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14.4 ns

典型的开启延迟时间：

2.1 ns

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