NVD4856NT4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

89 A

Rds On - 漏源电阻：

4.7 mOhms

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NTD4856N

品牌：

安森美半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

NVD4856NT4G-VF01

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NVD485, NVD48, NVD4, NVD