ALD1115MAL

产品属性

属性值

制造商：

先进线性器件

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

MSOP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

4.8 mA

Rds On - 漏源电阻：

500 Ohms

Vgs - 栅源电压：

13.2 V

最低工作温度：

0 C

最高工作温度：

+ 70 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

管子

产品：

MOSFET 小信号

系列：

ALD1115M

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

MOSFET

品牌：

先进线性器件

正向跨导 - 最小值：

0.0018 S, 0.00067 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.004938 oz

Tags

ALD1115, ALD111, ALD11, ALD1, ALD