NVMFD5C650NLT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

111 A

Rds On - 漏源电阻：

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

37 nC, 37 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NVMFD5C650NL

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

120 S, 120 S

秋季时间：

13 ns, 13 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

24 ns, 24 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

37 ns, 37 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns, 13 ns

Tags

NVMFD5C6, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM