TK3R1P04PL,RQ

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

130 A

Rds On - 漏源电阻：

2.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

60 nC

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

87 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

TK3R1P04PL

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

东芝

秋季时间：

19 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

72 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

单位重量：

0.007055 oz

Tags

TK3R1P, TK3R1, TK3R, TK3