PTFA080551E V1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

600 mA

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

Rds On - 漏源电阻：

150 mOhms

获得：

18.5 dB

输出功率：

55 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

H-36265-2

打包：

托盘

配置：

单身的

高度：

3.56 mm

长度：

20.31 mm

工作频率：

869 MHz to 960 MHz

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

15.34 mm

品牌：

英飞凌科技

Pd - 功耗：

219 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

12 V

Tags

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