FDC8886

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SSOT-6

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

6.5 A

Rds On - 漏源电阻：

36 mOhms

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.6 W

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

系列：

FDC8886

宽度：

1.6 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.001270 oz

Tags

FDC888, FDC88, FDC8, FDC