A2G22S190-01SR3

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

氮化镓硅

Id - 连续漏极电流：

19 mA

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

获得：

16.5 dB

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-400S-2

打包：

卷轴

工作频率：

1800 MHz to 2200 MHz

系列：

A2G22S190

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦半导体

通道数：

1 Channel

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 8 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 2.3 V

第 # 部分别名：

935372783118

Tags

A2G22S1, A2G22, A2G2, A2G