DMC3025LSDQ-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

8.5 A, 5.5 A

Rds On - 漏源电阻：

20 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V, 2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

9.8 nC, 10.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

8 S, 5 S

秋季时间：

5.8 ns, 12.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.2 ns, 4.9 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

16.6 ns, 28.4 ns

典型的开启延迟时间：

3.9 ns, 6.8 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

DMC3025LS, DMC3025, DMC302, DMC30, DMC3, DMC