A2T08VD021NT1

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

双 N 通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

80 mA

Vds - 漏源击穿电压：

- 500 mV, 105 V

获得：

19.1 dB

输出功率：

2 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-24

打包：

卷轴

工作频率：

728 MHz to 960 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦半导体

通道数：

2 Channel

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

第 # 部分别名：

935361777528

Tags

A2T0, A2T