RF4C050APTR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN2020-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

65 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

55 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.65 mm

长度：

2.1 mm

产品：

MOSFET

系列：

RF4C050AP

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

功率MOSFET

宽度：

2.1 mm

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

8 S

秋季时间：

160 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

16 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

580 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

第 # 部分别名：

RF4C050AP

单位重量：

0.196723 oz

Tags

RF4C0, RF4C, RF4