NSVMUN5336DW1T1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - 预偏置

RoHS：

Y

配置：

双重的

晶体管极性：

NPN, PNP

典型输入电阻：

100 kOhms

典型电阻比：

1

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

150

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

连续集电极电流：

100 mA

Pd - 功耗：

385 mW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

卷轴

发射极基极电压 VEBO：

6 V

品牌：

安森美半导体

产品类别：

BJT - 双极晶体管 - 预偏置

资质：

AEC-Q101

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

Tags

NSVMUN533, NSVMUN53, NSVMUN5, NSVMU, NSVM, NSV