ALD1103SBL

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

3.7 A

Rds On - 漏源电阻：

2.2 Ohms

Pd - 功耗：

25 W

配置：

单身的

高度：

15 mm

长度：

10 mm

系列：

TK4A60DB

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.211644 oz

Tags

ALD110, ALD11, ALD1, ALD