NTMS4916NR2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

11.6 A

Rds On - 漏源电阻：

12 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Qg - 门电荷：

15 nC

Pd - 功耗：

1.3 W

打包：

卷轴

系列：

NTMS4916N

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

23 S

秋季时间：

15.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.4 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.017870 oz

Tags

NTMS4916, NTMS491, NTMS49, NTMS4, NTMS, NTM