FCU3400N80Z

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-251-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

800 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

3.4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V, 30 V

Qg - 门电荷：

7.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

32 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

超级场效应晶体管 II

打包：

管子

高度：

6.3 mm

长度：

6.8 mm

系列：

FCU3400N80Z

宽度：

2.5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

2 S

秋季时间：

14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6.4 ns

出厂包装数量：

1800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22.7 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

单位重量：

0.012102 oz

Tags

FCU3, FCU