APT100GT60JR

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 碳化硅模块

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

600 V

集电极-发射极饱和电压：

2.1 V

25 C 时的连续集电极电流：

148 A

栅极-发射极漏电流：

300 nA

Pd - 功耗：

500 W

包装/案例：

ISOTOP-4

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

管子

品牌：

微芯片/Microsemi

安装方式：

贴片/贴片

最大栅极发射极电压：

30 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

1

子类别：

IGBT

Tags

APT100GT6, APT100GT, APT100G, APT100, APT10, APT1, APT