SSM6P41FE(TE85L,F)

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

720 mA

Rds On - 漏源电阻：

300 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

1.76 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.55 mm

长度：

1.6 mm

系列：

SSM6P41FE

晶体管类型：

2 P-Channel

宽度：

1.2 mm

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

850 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

38 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

Tags

SSM6P4, SSM6P, SSM6, SSM