2N5550TAR

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3 Kinked Lead

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

140 V

集电极-基极电压 VCBO：

160 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

0.25 V

最大直流集电极电流：

0.6 A

增益带宽积 fT：

300 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

2N5550

直流电流增益 hFE 最大值：

250

高度：

4.7 mm

长度：

4.7 mm

打包：

弹药包

宽度：

3.93 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

0.6 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

60

Pd - 功耗：

625 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

2000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N5550TAR_NL

单位重量：

0.008466 oz

Tags

2N5550TA, 2N5550T, 2N5550, 2N555, 2N55, 2N5