US6M2GTR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TUMT-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V, 20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A, 1 A

Rds On - 漏源电阻：

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V, 2 V

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

1.6 nC, 2.1 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

6 ns, 10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns, 8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns, 25 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6